时间：2020年10月13日 来源:IT之家  转载：标杆网

IT之家10月11日消息 中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）今天发布：已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。

此次成功流片是芯动科技与中芯国际“强强合作”，突破N+1工艺瓶颈的成果。自2019年开始，芯动科技就在中芯国际N+1工艺尚待成熟的情况下，投入数千万进行优化设计，并投入技术团队全程攻坚克难，成功助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

在今年3月底，中芯国际也表示，先进工艺正是中芯国际今年发展的重点，接下来该公司会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺的研发。

N+1工艺是中芯国际再第一代先进工艺14nm量产后，第二代先进工艺的代号。据透露，与14nm相比，N+1工艺有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及逻辑面积缩小63%等；而在N＋1之后，中芯国际还将着手研发性能更高的N+2。

总的来说，此次全球第一款基于中芯国际N+1工艺芯片流片成功，为实现大规模量产迈出了坚实一步，也为国产芯片的发展增添了力度。