时间：2021年5月17日 来源:前瞻网　 转载：标杆网

不久前，IBM开发出全球首个采用2nm技术的芯片，相当于在指甲大小的芯片上容纳多达500亿个晶体管，且性能提升、功耗大降，一下子大有“赶超台积电”的风头。不过，台积电也在半导体研发上争分夺秒，近日更是传来了1nm以下制程的重大突破：

近日，台积电、台大与美国麻省理工学院（MIT）合作研究发现，二维材料结合“半金属铋（Bi）”能达极低电阻，接近量子极限，有助实现半导体1nm以下制程挑战。

这种半导体新材料——铋（Bi），还能提高传输电流。

这项研究成果，由台大电机系暨光电所教授吴志毅，与台湾积体电路和MIT研究团队共同完成。

这项研究，先由MIT团队发现在二维材料上搭配半金属铋（Bi）的电极，能大幅降低电阻并提高传输电流。

随后，由台积电技术研究部门将铋沉积制程优化。

台大团队则运用氦离子束微影系统（Helium-ion beam lithography），将元件通道成功缩小到奈米尺寸。

三方合作，共同获得了上述突破性的研究成果。据悉，在使用铋（Bi）为“接触电极”的关键结构后，二维材料电晶体的效能，不但与“硅基半导体”相当，又有潜力与目前主流的硅基制程技术相容，有助于未来突破“摩尔定律”极限。